Пн. - Пт.: 9:00 - 18:00

Суббота: 10:00 - 14:00

Воскресенье: Выходной

SSD накопитель Samsung 850 EVO 4TB SATAIII TLC (MZ-75E4T0BW)

Отзывы:
(0)
  • Производитель: SAMSUNG
  • Код Товара: uc-6324529
  • Артикул: Код: 6324529
  • Наличие: Нет в наличии
26 999.00грн.
Основные характеристики
Все характеристики
Вес, г: 55
Время наработки на отказ: 1.5 млн часов
Интерфейс: SATAIII
Контроллер: Samsung MHX
Объем: 4 ТБ
Благодаря новейшей технологии Samsung 3D V-NAND, SSD-накопители серии 850 Evo сочетают большой объем и великолепную надежность с непревзойденной скоростью передачи данных и при последовательном, и при случайного доступе к ним.
 
3D V-NAND
SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 Evo имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры.
 
Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID
Подобно переключению на более высокую передачу в автомобиле, программа Samsung Magician позволит вам еще больше увеличить скорость работы SSD, включив режим RAPID. Он использует свободную оперативную память компьютера в качестве интеллектуального кэша — и поэтому особенно эффективен для ПК с большим объемом ОЗУ.
 
Работает быстрее и дольше
SSD-накопитель серии 850 Evo позволит вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше — благодаря высокоэффективному управлению энергопотреблением. В специальном режиме сна DIPM (Device Initiated Link Power Management) SSD-накопитель 850 Evo потребляет всего лишь 2 мВт — в десятки раз меньше, чем типичные SSD-накопители без поддержки DIPM, не говоря уже об обычных жёстких дисках. Кроме того, использование 3D V-NAND и буферной памяти типа LPDDR2 вместо обычно DDR2 или DDR3 позволяет снизить энергопотребление накопителя даже при активной работе.
 
Слаженная работа всех компонентов
В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD-накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя.
 
Безопасность данных гарантирована
AES-256-битное шифрование для обеспечения безопасности.
 
Динамическая теплозащита 
Динамическая теплозащита в накопителях 850 Evo также обеспечивает сохранность ваших данных.
Характеристики
Характеристики
Вес, г 55
Время наработки на отказ 1.5 млн часов
Интерфейс SATAIII
Контроллер Samsung MHX
Объем 4 ТБ
Объем памяти 4 ТБ
Особенности памяти V-Nand
Размеры, мм 100 x 69.85 x 6.8
Скорость записи, Мб/сек 520
Скорость чтения, Мб/сек 540
Тип накопителя Внутренний
Тип памяти NAND TLC
Устойчивость к ударным нагрузкам 1500
Форм-фактор 2.5"
Отзывов (0)

Нет отзывов об этом товаре.